集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.03)

填空題
制作電阻分壓器共需要三次光刻，分別是（）、（）和（）。
答案：電阻薄膜層光刻；高層絕緣層光刻；互連金屬層光刻
問答題
簡述溝道效應(yīng)的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免？
答案：對晶體進(jìn)行離子注入時，當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個晶向平行時，一些離子將沿溝道運(yùn)動，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的...
填空題
單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。
答案：CZ法；區(qū)熔法；硅錠
判斷題
阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。
答案：錯誤
判斷題
對正性光刻來說，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。
答案：正確
判斷題
LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。
答案：正確
判斷題
與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。
答案：正確
名詞解釋
射程R
答案：
離子從進(jìn)入靶到停止為止走過的總距離。
判斷題
傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。
答案：錯誤
問答題
簡述CSP的封裝技術(shù)？
答案：所謂CSP，即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個特點(diǎn)：...

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

国产午夜精品福利久久无遮挡h纯内动漫在线观看国产偷窥盗摄网站国产亚洲精品无码颜射老妇

首頁

題庫

網(wǎng)課

在線?？?/h3>

桌面端

集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.03)

制作電阻分壓器共需要三次光刻，分別是（）、（）和（）。

簡述溝道效應(yīng)的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免？

單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。

阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。

對正性光刻來說，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。

LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。

與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。

射程R

傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。

簡述CSP的封裝技術(shù)？

集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.03)

制作電阻分壓器共需要三次光刻，分別是（）、（）和（）。

簡述溝道效應(yīng)的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免？

單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。

阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。

對正性光刻來說，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。

LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。

與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。

射程R

傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。

簡述CSP的封裝技術(shù)？

制作電阻分壓器共需要三次光刻，分別是（）、（）和（）。

單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。

阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。

對正性光刻來說，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。

LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。

與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。

傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。

簡述CSP的封裝技術(shù)？