集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.04.22)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：不用SF6等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對(duì)下層的柵氧化層有較高的選擇比。
參考答案：硅片的制備；硅片制造；裝配和封裝
5.名詞解釋填充薄膜
參考答案：

是指用金屬薄膜填充通孔，以便在兩金屬層之間形成電連接。

參考答案：優(yōu)點(diǎn)：①刻蝕剖面各向異性，非常好的側(cè)壁剖面控制；
②好的CD控制；
③最小的光刻膠脫落或粘附問題；<...
參考答案：在氧化工藝中，通常在氧化系統(tǒng)中通入少量的HCl氣體（濃度在3%以下）以改善SiO2–S...