集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2018.03.19)

來源：考試資料網
參考答案：

被吸附雜質的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型

參考答案：

包括：切斷、滾磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、檢驗。

參考答案：

曝光時間、前烘的溫度和時間、光刻膠的膜厚、顯影液的濃度、顯影液的溫度、顯影液的攪動情況

參考答案：（1）常壓化學氣相淀積，這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應速度快，并特別適于介質淀積，但是它的缺點是均勻性較差，氣體消耗量大，...
參考答案：

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對齊

參考答案：

注氧隔離技術、鍵合減薄技術、智能剝離技術。

參考答案：由于晶體管的實際結構不對稱，特別是在集成電路中，發(fā)射區(qū)嵌套在基區(qū)內，基區(qū)嵌套在集電區(qū)內，發(fā)射結比集電結小很多反向電流放大...
參考答案：SPICE模型是建立在電路基本元器件的工作機理和物理細節(jié)上優(yōu)點：可以精確的在電路器件一級仿真系統(tǒng)測試工作特性和驗證系統(tǒng)邏...
參考答案：

它的空穴遷移率低于硅的空穴遷移率

參考答案：

柵長、柵寬、柵指數