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半導體芯片制造工章節(jié)練習(2020.02.02)
問答題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
答案:
晶向偏離度總厚度誤差,平衡度,翹曲度等
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問答題
簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
答案:
如果假設硅中的雜質(zhì)分布是均勻的,而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì),則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m<l,且在SiO
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問答題
什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的問題?
答案:
固相外延是指半導體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
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單項選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝,外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是()。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
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問答題
什么是濺射產(chǎn)額,其影響因素有哪些?簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。
答案:
濺射產(chǎn)額:影響因素:離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結晶性只有當入射離子的能量超過一定能量(濺射閾值)時,才能發(fā)生濺...
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問答題
下圖是硅烷反應淀積多晶硅的過程,寫出發(fā)生反應的方程式,并簡述其中1~5各步的含義。
答案:
(1)反應氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運;
(2)這些氣體反應生成系列次生分子;
(3)這些反應物輸...
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問答題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求?
答案:
1、能很好的阻擋材料擴散;
2、高電導率,低歐姆接觸電阻;
3、在半導體和金屬之間有很好的附著能力;...
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問答題
什么是CMOS技術?什么是 ASIC?
答案:
CMOS(互補型金屬氧化物半導體)技術:將成對的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)集成在一塊硅片上。使集成電路...
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問答題
將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程?
答案:
整形處理,切片,磨片和倒角,刻蝕,拋光,清洗,硅片評估,包裝。
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單項選擇題
超聲熱壓焊的主要應用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接,焊接處依靠()封接,因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關鍵因素。
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形
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