半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.07.13)
來源:考試資料網(wǎng)參考答案:擴散工藝分類:按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類,可分為固態(tài)源擴散,液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散(1).開管擴散...
5.問答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
參考答案:
晶向偏離度總厚度誤差,平衡度,翹曲度等
6.問答題簡述幾種常用的氧化方法及其特點。
參考答案:制備SiO2的方法有很多,熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學(xué)氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質(zhì)量好...
10.問答題簡述BOE(或BHF)刻蝕SiO2的原理。
