半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.05.13)

一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？

下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標識部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。