半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.09.25)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO
參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...
參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...
參考答案：（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
參考答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點(diǎn)或共晶點(diǎn)溫度下外延再結(jié)晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
參考答案：ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點(diǎn)為放電的著火點(diǎn)，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...
