- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項
問答題
【簡答題】試問單管DRAM單元的讀出是不是破壞性的？怎樣補充這一不足？（選作）有什么辦法提高refresh time？
答案：
單管DRAM單元的讀出是破壞性的，存放在單元中的電荷數(shù)量在讀操作期間會被修改，因此為了使一次讀操作后再恢復(fù)它原來的值，單...
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】簡述sram，flash memory及dram的區(qū)別？
答案：
sram：靜態(tài)隨機存儲器，存取速度快，但容量小，掉電后數(shù)據(jù)會丟失，制造成本較高，通常用來作為快取(CACHE)&ensp...
