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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述sram,flash memory及dram的區(qū)別?
答案:
sram:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,存取速度快,但容量小,掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,制造成本較高,通常用來(lái)作為快取(CACHE)&ensp...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】預(yù)充電雖然在NOR ROM中工作得很好,但它應(yīng)用到NAND ROM時(shí)卻會(huì)出現(xiàn)某些嚴(yán)重的問(wèn)題。請(qǐng)解釋這是為什么?
答案:
電荷分享是預(yù)充電NAND ROM中要考慮的主要問(wèn)題??梢栽贜AND ROM中實(shí)現(xiàn),但設(shè)計(jì)者必須極為小心。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】畫一個(gè)2×2的MOS NAND型 ROM單元陣列,要求地址0,1中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值分別為10和10。并簡(jiǎn)述工作原理。
答案:
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