問答題

【簡答題】N阱CMOS主要工藝步驟是什么？

答案：

1、底硅片的選擇；
2、作n阱場區(qū)氧化；
3、作硅柵→形成源、漏區(qū)；
4、成金屬互連線。
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問答題

【簡答題】縮小特征尺寸的目的是什么？
答案： 使集成電路繼續(xù)遵循摩爾定律提高集成密度；提高集成度可以使電子設(shè)備體積更小、速度更高、功耗更低；降低單位功能電路的成本，提...
問答題

【簡答題】摩爾分析了集成電路迅速發(fā)展的原因，他指出集成度的提高主要是什么貢獻？
答案：

特征尺寸不斷縮小、芯片面積不斷增大、器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進。
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