問答題

【簡答題】簡述化學(xué)機(jī)械平坦化的工作原理。它的拋光速率受哪些因素的影響？

答案： CMP是利用wafer和拋光頭之間的運動來平坦化wafer表面的，通過比去除低處圖形快的速度去除高處圖形來獲得平坦的wa...
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡答題】摻雜在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的作用有哪些？
答案：

形成PN結(jié)；
形成電阻；
形成歐姆接觸；
形成雙極型有源器件的基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)、MOS管的源、漏區(qū)；形成電橋作互連線。
問答題

【簡答題】化學(xué)氣相淀積薄膜的生長過程是怎樣的？
答案： （1）參加反應(yīng)的氣體混合物被輸運到沉積區(qū)；
（2）反應(yīng)物由主氣流擴(kuò)散到襯底表面；
（3）反應(yīng)物分鐘吸...
微信掃碼免費搜題