①為恢復(fù)經(jīng)離子注入后造成的芯片表面損傷; ②使注入離子擴散至適當(dāng)?shù)纳疃龋?br /> ③使注入離子移動到適當(dāng)?shù)木Ц裎恢谩?/p>
①使高濃度的源/漏極與柵極間產(chǎn)生一段LDD區(qū)域; ②作為Contact Etch時柵極的保護層。