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問(wèn)答題
【案例分析題】已知有16K×1的DRAM芯片，其引腳功能如下：地址輸入A6～A0，行地址選擇RAS，列地址選擇CAS，數(shù)據(jù)輸入端DIN，數(shù)據(jù)輸出端DOUT，控制端WE。請(qǐng)用給定芯片構(gòu)成256KB的存儲(chǔ)器，采用奇偶校驗(yàn)。試問(wèn)：若芯片內(nèi)部采用128×128矩陣排列，求異步刷新時(shí)該存儲(chǔ)器的刷新間隔。
答案：
若芯片內(nèi)部采用128×128矩陣排列，設(shè)芯片的最大刷新間隔時(shí)間為2ms ，則相鄰兩行之間的刷新間隔為：刷新間隔＝最大刷新...
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答案：
若芯片內(nèi)部采用128×128矩陣排列，設(shè)芯片的最大刷新間隔時(shí)間為2ms ，則相鄰兩行之間的刷新間隔為：刷新間隔＝最大刷新...
