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問答題

【計算題】
現(xiàn)有三個半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p₀₁=2.25×10¹⁵/cm³，p₀₂=1.5×10¹⁰/cm³，p₀₃=2.25×10⁴/cm³
（1）分別計算這三個樣品的電子濃度
（2）判別這三個樣品的導(dǎo)電類型
（3）計算這三個樣品的費(fèi)米能級的位置

答案：
對這三塊材料分別計算如下：

即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級在禁帶中線下0.37eV處

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【計算題】有一半導(dǎo)體硅樣品，施主濃度為N_D=2×10¹⁴/cm³，受主濃度為N_A=1×10¹⁴/cm³，已知施主電離能為ΔE₀=0.05eV，試求：99%的施主雜質(zhì)電離時的溫度。

答案：

【計算題】
一塊有雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)墓璨牧希阎獡饺胧苤髅芏萅_A=1×10¹⁵cm²，室溫下測其費(fèi)米能級，恰好與施主能級重合，并得知平衡電子密度為n₀=5×10¹⁵cm³，已知室溫下硅的本征載流子密度為n=1.5×10¹⁵cm³，試求：
（1）平衡少子的密度
（2）材料中施主雜質(zhì)的密度
（3）電離雜質(zhì)和中性雜質(zhì)的密度

答案：

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