一塊有雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)墓璨牧希阎獡饺胧苤髅芏萅A=1×1015cm2,室溫下測其費(fèi)米能級,恰好與施主能級重合,并得知平衡電子密度為n0=5×1015cm3,已知室溫下硅的本征載流子密度為n=1.5×1015cm3,試求:
(1)平衡少子的密度
(2)材料中施主雜質(zhì)的密度
(3)電離雜質(zhì)和中性雜質(zhì)的密度
兩塊n型硅材料,在溫度T時(shí),第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。
(1)如果第一塊材料的費(fèi)米能級在導(dǎo)帶之下3k0T,求第二塊材料的費(fèi)米能級的位置。
(2)兩塊材料中空穴密度之比。
(1)設(shè)第一塊和第二塊材料的費(fèi)米能級分別為EF1和EF2,利用