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問答題
【案例分析題】對(duì)于室溫下硅材料,假設(shè)載流子遷移率分別為μ
n
=1350cm
2
/V·s,μ
p
=5001350cm
2
/V·s,且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10
-19
C,本 征載流子濃度n
i
=10
10
cm
-3
,硅的原子密度為5×10
22
cm
-3
,Nc=Nv=10
19
cm
-3
,k
0
T=0.026eV,ln200=5.3。畫出問題(2)中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖,并確定費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于E
C
的位置
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【案例分析題】對(duì)于室溫下硅材料,假設(shè)載流子遷移率分別為μ
n
=1350cm
2
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p
=5001350cm
2
/V·s,且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10
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C,本 征載流子濃度n
i
=10
10
cm
-3
,硅的原子密度為5×10
22
cm
-3
,Nc=Nv=10
19
cm
-3
,k
0
T=0.026eV,ln200=5.3。當(dāng)在本征硅中摻入百萬分之一的砷(As)后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試計(jì)算電子濃度和空穴濃度。
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n
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i
=10
10
cm
-3
,硅的原子密度為5×10
22
cm
-3
,Nc=Nv=10
19
cm
-3
,k
0
T=0.026eV,ln200=5.3。畫出問題(2)中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖,并確定費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于E
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n
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p
=5001350cm
2
/V·s,且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10
-19
C,本 征載流子濃度n
i
=10
10
cm
-3
,硅的原子密度為5×10
22
cm
-3
,Nc=Nv=10
19
cm
-3
,k
0
T=0.026eV,ln200=5.3。試計(jì)算問題(2)中雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。
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