【案例分析題】對(duì)于室溫下硅材料，假設(shè)載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本 征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。畫出問題（2）中雜質(zhì)半導(dǎo)體的能帶圖，并確定費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于E_C的位置