微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.11.15)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在線參數(shù)測(cè)試的原因
參考答案：（1）鑒別工藝問(wèn)題：硅片制造過(guò)程中工藝問(wèn)題的早期鑒定
（2）通過(guò)/失效標(biāo)準(zhǔn)：決定硅片是否繼續(xù)后面的制造程序
（2）通過(guò)/失效標(biāo)準(zhǔn)：決定硅片是否繼續(xù)后面的制造程序
參考答案：
化學(xué)吸附：襯底表面的原子與吸附的源材料的分子內(nèi)的原子形成化學(xué)鍵；
物理吸附：吸附在源材料的表面
3.問(wèn)答題刻蝕的目的是什么？
參考答案：目的是為涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述集成電路封裝的四個(gè)重要功能
參考答案：
A.保護(hù)芯片以免由環(huán)境和傳遞引起損壞
B.為芯片的信號(hào)輸入和輸出提供互連
C.芯片的物理支撐
D.散熱
6.問(wèn)答題什么是合金接觸？N型GaAs合金接觸的常用合金是什么？
7.問(wèn)答題列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù)。
參考答案：1.極紫外光刻技術(shù)（EUV）
2.離子束投影光刻技術(shù)（IPL）
3.角度限制投影電子束光刻技術(shù)（SC...
2.離子束投影光刻技術(shù)（IPL）
3.角度限制投影電子束光刻技術(shù)（SC...
8.問(wèn)答題說(shuō)出摻雜半導(dǎo)體的兩種特性
參考答案：①通過(guò)摻雜濃度精確控制電阻率
②通過(guò)摻雜元素的選擇控制導(dǎo)電類型（電子N型或空穴P型導(dǎo)電）
摻雜半導(dǎo)體...
②通過(guò)摻雜元素的選擇控制導(dǎo)電類型（電子N型或空穴P型導(dǎo)電）
摻雜半導(dǎo)體...
9.問(wèn)答題何謂少子壽命？何謂擴(kuò)散長(zhǎng)度？二者有何聯(lián)系？
10.填空題在P型半導(dǎo)體中空穴是多子，（）是少子。
