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每日一練
章節(jié)練習
微電子學章節(jié)練習(2019.08.21)
來源：考試資料網
1.問答題
光刻膠厚度隨什么變化？
參考答案：
粘度越高轉速越低，光刻膠就越厚
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2.問答題
什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量？
參考答案：
等離子是一種中性，高能量，離子化的氣體，包含中性原子或分子，帶電離子和自由電子。
RF能量的使用可以產生一個高...
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3.問答題
負膠的兩大缺點是什么。
參考答案：
在顯影時曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時光刻膠可與氮氣反應從而抑制其交聯(lián) 。
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4.名詞解釋
平均自由程
參考答案：
粒子和粒子碰撞前能夠移動的平均距離。
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5.問答題
干法刻蝕是如何分類和定義的？
參考答案：
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6.問答題
光刻技術中的常見問題有那些？
參考答案：
半導體器件和集成電路的制造對光刻質量有如下要求：
一是刻蝕的圖形完整，尺寸準確，邊緣整齊陡直；
二是...
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7.名詞解釋
擴散法（diffusion）
參考答案：
是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中，將雜質擴散到硅片內的一種方法。
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8.問答題
寫出計算焦深的公試。
參考答案：
DOF=入/（2*NA）
2
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9.問答題
什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標有那些？
參考答案：
光刻（photolithography）就是將掩模版（光刻版）上的幾何圖形轉移到覆蓋在半導體襯底表面的對光輻照敏感薄膜材...
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10.填空題
勢壘電容反映的是PN結的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結的摻雜濃度越高，則勢壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢壘電容就越（）。
參考答案：
微分；大；小
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