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問答題
【簡答題】
試分別說明:
1)在一定的溫度下,對本征材料而言,材料的禁帶寬度越窄,載流子濃度越高;
2)對一定的材料,當(dāng)摻雜濃度一定時(shí),溫度越高,載流子濃度越高。
答案:
1)在一定的溫度下,對本征材料而言,材料的禁帶寬度越窄,則躍遷所需的能量越小,所以受激發(fā)的載流子濃度隨著禁帶寬度的變窄而...
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問答題
【計(jì)算題】計(jì)算本征硅在室溫時(shí)的電阻率。設(shè)電子遷移率和空穴遷移率分別為1350cm
2
/v˙s,和500cm
2
/v˙s。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,計(jì)算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大多少倍?n
i
=1.5×10
13
/cm
3
。
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問答題
【計(jì)算題】已知本征鍺的電導(dǎo)率在310K時(shí)為3.56×10
-2
S/cm,在273K時(shí)為0.42×10
-2
S/cm,一個(gè)n型鍺樣品,在上述兩個(gè)溫度時(shí),其施主雜質(zhì)濃度N
D
=10
15
/cm
3
。計(jì)算在上述兩個(gè)溫度n型鍺樣品的電導(dǎo)率。μ
n
=3600cm
2
/v˙s,μ
p
=1700cm
2
/v˙s。
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