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CMOS是由PMOS和NMOS構(gòu)成,制作時(shí)可以是P阱結(jié)構(gòu),還可以是N阱結(jié)構(gòu),更可以是雙阱結(jié)構(gòu)。
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判斷題
MOS管的制作一般經(jīng)過(guò)阱區(qū)制作、有源區(qū)光刻、柵氧淀積、柵的淀積和光刻、源漏注入、接觸孔光刻、金屬淀積及反刻、鈍化等工藝。
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判斷題
當(dāng)掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到下方薄膜材料上時(shí),必須要考慮到光刻膠的性質(zhì)(正膠還是負(fù)膠)。
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