- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問答題
【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。
答案：
在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質(zhì)量，在氧化的全過程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數(shù)量的氯，將氯結(jié)合到氧...
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來改善其氧化層質(zhì)量？
答案：
原因：
（1）由于水汽的進(jìn)入，是網(wǎng)絡(luò)中大量的橋鍵氧變?yōu)榉菢蜴I氧的羥基，使氧化層結(jié)構(gòu)變疏松，密度降低，質(zhì)量不如干...
（1）由于水汽的進(jìn)入，是網(wǎng)絡(luò)中大量的橋鍵氧變?yōu)榉菢蜴I氧的羥基，使氧化層結(jié)構(gòu)變疏松，密度降低，質(zhì)量不如干...
問答題
【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機(jī)理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。
答案：
干氧氧化：氧化開始時(shí)，是氧分子與硅片表面的硅原子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成初始氧化層，其反應(yīng)方程式為：Si+O2
