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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是氧化工藝?請(qǐng)說(shuō)明氧化工藝為什么需要高溫技術(shù)?
答案:
氧化,即在硅表面形成一氧化層的能力,是硅集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)及關(guān)鍵因素之一。
室溫下也會(huì)生長(zhǎng)出自然氧化層,但...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明CMOS工藝在硅片上形成氧化物的主要方法,以及他們間的本質(zhì)區(qū)別。
答案:
硅片上的氧化物有許多種方法產(chǎn)生:熱生長(zhǎng)和淀積,包括:熱氧化法、CVD、熱分解淀積法、陽(yáng)極氧化法、反應(yīng)濺射法等。
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【簡(jiǎn)答題】CMOS工藝中為什么要形成側(cè)墻?在哪一個(gè)工藝環(huán)節(jié)形成及為什么?并說(shuō)明其形成步驟及主要作用。
答案:
步驟:
1)淀積二氧化硅
2)二氧化硅反刻
作用:用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵,作為n+和p+源漏注入...
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