<ins id="wffqw"><meter id="wffqw"><source id="wffqw"></source></meter></ins>

<dl id="wffqw"><progress id="wffqw"></progress></dl>

問答題

【計算題】設(shè)空穴的濃度呈線性分布，在3μm內(nèi)濃度差為1×10¹⁵cm^－3，遷移率為400cm²/（V·s），試計算室溫下的空穴擴散電流密度j_h。

答案：

你可能感興趣的試題

【計算題】在某一N型半導(dǎo)體電子濃度為1×10¹⁵cm^－3，電子遷移率為1000cm²/（V·s），求其電阻率。

答案：

【計算題】在一個N型鍺樣品中，非平衡載流子濃度是1×10¹³cm^－3，空穴壽命為100μs，計算空穴的復(fù)合率。

答案：

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

精品伊人久久大香线蕉男人的天堂

国产午夜精品福利久久无遮挡h纯内动漫在线观看国产偷窥盗摄网站国产亚洲精品无码颜射老妇