動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)、器和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
生長(zhǎng)緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。
時(shí)鐘信號(hào)為低電平的時(shí)間必須大于電路的上升時(shí)間。