問答題

【簡答題】高電子遷移率晶體管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

答案：

器件在晶體結構中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子，即二維電子氣。
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【簡答題】進一步提高MESFET性能的措施是什么？
答案：

改進有源層的導電能力
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【簡答題】為什么說柵長是MESFET的重要參數(shù)？
答案：

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
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