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問答題
【簡答題】解釋質(zhì)量輸運限制CVD工藝和反應(yīng)速度限制CVD工藝的區(qū)別，哪種工藝依賴于溫度，LPCVD和APCVD各屬于哪種類型？
答案：
質(zhì)量傳輸限制淀積速率：淀積速率受反應(yīng)物傳輸速度限制，即不能提供足夠的反應(yīng)物到襯底表面，速率對溫度不敏感（如高壓CVD.。...
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問答題
【簡答題】離子注入后為什么要退火，高溫退火和快速熱處理哪個更優(yōu)越，為什么？
答案：
離子注入會將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格。如果注入的劑量很大，被注入層將變成非晶。另外，被注入離子基本不占據(jù)硅的晶格...
問答題
【簡答題】為什么柵介質(zhì)層的厚度減少有一個大致的極限？為什么現(xiàn)在需要高K值（介電常數(shù)）的柵介質(zhì)？低K介質(zhì)用在什么地方？為什么？
答案：
隨著特征尺寸的縮小，柵氧化層越來越薄，柵極隧穿漏電流指數(shù)性增加，從而導(dǎo)致功耗增加。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚度...
