問答題

【簡答題】在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應(yīng)來自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應(yīng)的方法。

答案： 抑制CMOS電路中閂鎖效應(yīng)（Latchup）的方法有：
①SOI襯底技術(shù)；
②大劑量離子注入形成深埋...
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問答題

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