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問答題
【簡答題】什么是離子注入時(shí)的溝道效應(yīng)？列舉出三種控制溝道效應(yīng)的方法？
答案：
溝道效應(yīng)：單晶硅原子為長程有序排列，當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時(shí)，就發(fā)生了溝道效應(yīng)，使預(yù)期的設(shè)計(jì)范...
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問答題
【簡答題】解釋為什么目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝？
答案：
目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝的原因是：
①采用自對準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
①采用自對準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
問答題
【簡答題】在集成電路制造工藝中，輕摻雜漏（LDD）注入工藝是如何減少結(jié)和溝道區(qū)間的電場，從而防止熱載流子的產(chǎn)生？
答案：
如果沒有LDD形成，在晶體管正常工作時(shí)會在結(jié)和溝道區(qū)之間形成高電場，電子在從源區(qū)向漏區(qū)移動的過程中，將受此電場加速成高能...
