單項選擇題

為減少固定電荷密度和快界面態(tài)的影響，在制備MOS器件時通常選擇硅單晶的方向為（）

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

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單項選擇題

可以由霍爾系數(shù)的值判斷半導(dǎo)體材料的特性，如一種半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)為負(fù)值，該材料通常是（）

A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度補(bǔ)償型

單項選擇題

對大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與（）。

A、平衡載流子濃度成正比
B、非平衡載流子濃度成正比
C、平衡載流子濃度成反比
D、非平衡載流子濃度成反比

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