A、砷化鎵 B、非晶硅 C、單晶硅 D、陶瓷
A、與外來(lái)信號(hào)頻率 B、與工作電壓 C、本身幾何尺寸 D、介質(zhì)損耗
A、通過(guò)逆壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換成的機(jī)械能與貯存的電能總量之比 B、貯存的電能總量與貯存的機(jī)械能總量之比 C、貯存的機(jī)械能總量與通過(guò)壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換成的電能之比 D、通過(guò)逆壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換成的機(jī)械能與通過(guò)壓電效應(yīng)轉(zhuǎn)換成的電能之比