A.內(nèi)部條件,基區(qū)摻雜濃度小于發(fā)射區(qū)摻雜濃度 B.內(nèi)部條件,基區(qū)摻雜濃度大于發(fā)射區(qū)摻雜濃度 C.外部條件,發(fā)射結正偏,集電結反偏 D.外部條件,發(fā)射結反偏。集電結反偏
A.二極管 B.PN結 C.晶體 D.導電區(qū)
A.發(fā)射區(qū)與基區(qū)交界處的PN結為發(fā)射結 B.基區(qū)與集電區(qū)交界處的PN結為發(fā)射結 C.發(fā)射區(qū)與基區(qū)交界處的PN結為集電結 D.發(fā)射區(qū)與集電區(qū)交界處的PN結為集電結