柵極輸入信號改變使柵極輸入電容存儲或釋放電荷的時間。
通過離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度,從而改變閾值電壓的過程。
當載流子在源極和漏極漂移時,氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場吸引作用和庫侖排斥作用。