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填空題
為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升,在高劑量、大束流離子注入時,可以采用()掃描方式,在低劑量、小束流時一般用()方式注入。
答案:
混合;全電掃描
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填空題
離子注入機的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用(),N型摻雜的源氣常用()和()。對GaAs做N型摻雜的源氣常用()
答案:
BF
3
;PH
5
;AsH
5
;SiH
4
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填空題
()稱為溝道效應,可以用()、()和()來避免。其中,()是最常用的方法。
答案:
沿晶體溝道注入離子的射程遠大于隨機方向注入離子射程的現(xiàn)象;硅片相對注入束偏轉(zhuǎn)5-7°的注入角;表面生長氧化層;硅注入表面...
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