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多項(xiàng)選擇題
功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求是()。
A.驅(qū)動信號的前后沿陡峭
B.驅(qū)動信號的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓
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多項(xiàng)選擇題
LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件,具有()優(yōu)點(diǎn)。
A.直接測量原邊大電流,反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快
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多項(xiàng)選擇題
功率晶體管的浪涌電壓吸收有()形式。
A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路
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