問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】MCT與GTR、MOSFET、IGBT和Gto等器件相比具有哪些優(yōu)點(diǎn)？

答案： 1）電壓電流容量大（阻斷電壓3KV、峰值電流1KA.
2）通態(tài)壓降小（約1.1V，僅是IGBT的1/3） ...
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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】GTO的特點(diǎn)及使用中應(yīng)注意什么問(wèn)題？
答案： 1）正向?qū)▔航荡?，維持電流較普通晶閘管大.
2）采用寬脈沖觸發(fā)，要求觸發(fā)脈沖強(qiáng)幅度大.
3）反...
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【簡(jiǎn)答題】應(yīng)用電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管的注意事項(xiàng)是什么？
答案： 1）防止靜電擊穿
2）防止偶然性震蕩，在柵極外接10K電阻或柵源間外接0.5F電容.
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