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如果制作柵氧結(jié)構,一般采用的方法是()。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
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CMOS電路是通過有源區(qū)進行隔離的,屬于絕緣介質(zhì)隔離。
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STI技術相比LOCOS工藝,占地面積更小,而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應。
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