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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么MOS晶體管會(huì)存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？
答案：
晶體管開(kāi)通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時(shí)，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，對(duì)器件有什么影響？
答案：
MOS晶體管存在速度飽和效應(yīng)。器件工作時(shí)，當(dāng)漏源電壓增大時(shí)，實(shí)際的反型層溝道長(zhǎng)度逐漸減小，即溝道長(zhǎng)度是漏源電壓的函數(shù)，這...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】請(qǐng)以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng)，并解釋其對(duì)PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。
答案：
對(duì)于PMOS晶體管，通常情況下襯底和源極都接最高電位，襯底偏壓，此時(shí)不存在襯偏效應(yīng)。而當(dāng)PMOS中因各種應(yīng)用使得源端電位...
