問答題

【簡答題】簡述干氧氧化與濕氧氧化各自的特點,通常用哪種工藝制備較厚的二氧化硅層?

答案: 干氧氧化:(優(yōu))結構致密,表面平整光亮;對雜質掩蔽能力強;鈍化效果好;生長均勻性、重復性好;表面對光刻膠的粘附好,(缺)...
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【簡答題】簡述溝道效應的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免?

答案: 對晶體進行離子注入時,當離子注入的方向與與晶體的某個晶向平行時,一些離子將沿溝道運動,受到的核阻止作用很小,而且溝道中的...
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【簡答題】簡述離子注入工藝中退火的主要作用?

答案: 由于離子注入所造成的損傷區(qū)及畸形團,增加了散射中心及陷阱能級,使遷移率和壽命等半導體參數(shù)下降。此外,大部分的離子在被注入...
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