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CVD是利用某種物理過程,例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移,即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底(硅)表面上,并淀積成薄膜。
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快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng),帶有輻射熱和冷卻源,通常一次處理一片硅片。
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用于亞0.25μm工藝的選擇性氧化的主要技術(shù)是淺槽隔離。
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