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可編程邏輯器件的寫入電壓和正常工作電壓相同。
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填空題
目前使用的()可多次寫入的存儲單元是在MOS管中置入()的方法實現(xiàn)的。
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EPROM;浮置柵
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填空題
RAM主要包括()、存儲矩陣和讀/寫控制電路等部分。
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地址譯碼器
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