已知半導(dǎo)體材料GaAs(鎵砷)的禁帶寬度Eg=1.43ev,InGaAsP(銦鎵砷磷)的Eg=0.96ev,分別求由這兩種材料組成的半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長(zhǎng)。(普朗克常數(shù)h=6.626×10-34J·S,1ev=1.6×10-19J)