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光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝()
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
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單項選擇題
介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是()層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
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二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行()擴散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
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