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單項(xiàng)選擇題
離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
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單項(xiàng)選擇題
離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
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多項(xiàng)選擇題
硅外延片的應(yīng)用包括（）。
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
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