問答題

【簡答題】簡述側(cè)墻工藝目的。

答案: 側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵側(cè)壁阻擋大劑量的S/D注入以免其接近溝道導(dǎo)致源漏穿通。
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【簡答題】簡述輕摻雜漏(LDD)工藝目的。

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【簡答題】簡述什么是淺槽隔離STI及優(yōu)點。

答案: 淺槽隔離是在襯底上通過刻蝕槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步驟,制作晶體管有源區(qū)之間的隔離區(qū)的一種工藝。它取代了LOCOS...
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