問答題

【簡答題】簡述硅熱氧化工藝中影響二氧化硅生長的因素。

答案： ①氧化溫度；
②氧化時間；
③摻雜效應：重摻雜的硅要比輕摻雜的氧化速率快
④硅片晶向：<1...

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【簡答題】簡述SiO₂在集成電路中的用途。

答案： ①柵氧層：做MOS結構的電介質(zhì)層（熱生長）
②場氧層：限制帶電載流子的場區(qū)隔離（熱生長或沉積）
③保...

SiO₂-Si界面的雜質(zhì)分凝：（）過程中，（）在兩種材料中重新分布，（）吸引受主雜質(zhì)（B）、排斥施主雜質(zhì)（P、As）。

答案：高溫；雜質(zhì)；氧化硅

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