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問答題

【簡答題】簡述Ge、Si和GaAS的能帶結構的主要特征。

答案：

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【簡答題】試指出空穴的主要特征。

答案：

空穴是未被電子占據(jù)的空量子態(tài)，被用來描述半滿帶中的大量電子的集體運動狀態(tài)，是準粒子。主要特征如下：

【簡答題】試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫度系數(shù)的原因。

答案：電子的共有化運動導致孤立原子的能級形成能帶，即允帶和禁帶。溫度升高，則電子的共有化運動加劇，導致允帶進一步分裂、變寬；允...

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