填空題

常規(guī)集成電路平面制造工藝主要由（）、（）、（）、（）、（）等工藝手段組成。

答案： 光刻；氧化；擴(kuò)散；刻蝕；離子注入（外延、CVD、PVD）
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填空題

濕法腐蝕的特點(diǎn)是（）、（）、（）、（）。
答案： 選擇比高；工藝簡(jiǎn)單；各向同性；線條寬度難以控制
填空題

濕法腐蝕Si所用溶液有（）、（）等，腐蝕SiO2常用的腐蝕劑是（），腐蝕Si3N4常用的腐蝕劑是（）。
答案： 硝酸-氫氟酸-醋酸（或水）混合液；KOH溶液；HF溶液；磷酸
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