圖示反相器電路欲加深三極管T的飽和深度,在其它條件不變的情況下,可采取()的措施。
A.增大R2; B.減少RC; C.減少Ece; D.增大T的β。
A.原子和中子; B.電子和空穴; C.電子和質(zhì)子; D.電子和離子。
A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏; B.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏; C.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏; D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。