本征吸收：半導體吸收光子能量大于帶隙的光子，使電子直接躍遷到導帶。 又本征吸收產生的非平衡載流子的增加使半導體電導率增加。
若只計及最近鄰的相互作用，用緊束縛近似方法可以得到體心立方晶格S態(tài)電子能帶由下式確定： E（k）=E0-A-8Jcosakxcosakycosakz 其中J為交迭積分。試求： 1.體心立方晶格的能帶寬度 2.能帶底部和能帶頂部的有效質量。 3.畫出沿kx方向E（kx）和U（kx）的曲線。
